Hợp chất bán dẫn và vật liệu tinh thể

keonhacai trực tiếp bóng đá Chất nền CdZnTe (CdTe)

Chất nền CdZnTe (CdTe)

Các sản phẩm của JX Advanced Metals với chất lượng cao ổn định đang giành được sự hoan nghênh và tin tưởng của khách hàng Chúng tôi sản xuất CdZnTe (CdTe) cho chất bán dẫn hỗn hợp II-VI Chúng tôi cung cấp các sản phẩm đáp ứng nhu cầu mới nhất và yêu cầu về sản phẩm

Tên sản phẩm Chất nền CdZnTe (CdTe) (Cadmium Zinc Telluride)
Ứng dụng chính Máy dò hồng ngoại, máy dò bức xạ

Đội hình

  Kích thước (mm) Định hướng
Chất nền CdZnTe 10×10-
95×95
(111),(211)
  • CdTe cũng có sẵn
Dòng sản phẩm CZT có điện trở suất cao Kích thước (mm) Độ dày(mm) Điện trở suất (Ωcm) μτ(cm2/V) Thiết kế pixel tiêu chuẩn
Chất nền trần Lên tới 60x60 0.5–5.0 107–1011 Điện tử:
1x10-4–2x10-3
Lỗ:
1x10-5–9x10-5
-
Máy dò phẳng Tối đa 10x10 -
Máy dò pixel Lên tới 40x40 Độ cao điểm ảnh: 75 μm
Kích thước pixel: 50 μm

Ví dụ ứng dụng

Cảm biến hồng ngoại dùng trong không gian và môi trường
Cảm biến hồng ngoại dùng trong không gian và môi trường
Cảm biến bức xạ dùng trong y tế và phân tích
Cảm biến bức xạ dùng trong y tế và phân tích
Kiểm tra bằng tia X
Kiểm tra bằng tia X
Máy ảnh tia Compton của ɤ
Camera Compton tia-ray

Tính năng

  • Các tinh thể đơn CdZnTe đường kính lớn có chất lượng cao nhất thế giới được tạo ra bằng cách sử dụng công nghệ nuôi cấy tinh thể độc quyền của chúng tôi
  • CdZnTe có thể phát hiện bức xạ với độ chính xác cao hơn các vật liệu khác, giúp phát hiện tia X ổn định
  • Chất nền CdZnTe của chúng tôi với nồng độ Zn đồng đều cho phép khách hàng sản xuất cảm biến hồng ngoại lớn hơn
Chất nền CdZnTe diện tích lớn
Chất nền CdZnTe diện tích lớn
Sự phân bố nồng độ Zn đồng đều trong chất nền CdZnTe
Độ đồng đều nồng độ Zn của Cd1-xZnxChất nền Te (x biểu thị bằng %)
Dấu vết nhẹ của Tellurium kết tủa trên chất nền đã điều chỉnh
Dấu vết nhẹ của Tellurium kết tủa trên chất nền đã điều chỉnh

Đặc điểm của chất nền CdZnTe có điện trở suất cao dùng cho cảm biến bức xạ

Chất nền CdZnTe có độ bền cao
Chất nền CdZnTe có độ bền cao
Sự hình thành liên kết kim loại trên nền CdZnTe
Có thể hình thành liên kết kim loại
(trái: thiết bị phẳng; phải: điện cực pixel)
  • Điện trở cao làm giảm dòng tối
  • Không xảy ra hiện tượng phân cực nhờ độ ổn định vượt trội
  • Có thể tương tác tuyệt vời với các mạch tích hợp dành riêng cho ứng dụng (ASIC)
  • Có thể được cung cấp dưới dạng chất nền trần hoặc với thiết bị phẳng hoặc điện cực pixel
Thông tin liên hệ
Từ Web

Nhận yêu cầu 24 giờ một ngày