Phương pháp phún xạ là kỹ thuật trong đó các ion argon bị bắn phá bằng mục tiêu phún xạ trong thiết bị chân không và các nguyên tử/phân tử mục tiêu được giải phóng được gắn vào chất nền như tấm wafer silicon hoặc thủy tinh để tạo thành một màng mỏng Cái tên mục tiêu phún xạ xuất phát từ thực tế nó là vật mà các ion va chạm vào trong quá trình phún xạ